晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F

控制壓力10torr、20torr、50torr

晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F又稱壓力自動調(diào)節(jié)閥，

用于半導體晶圓生產(chǎn)中晶圓背面的微小壓力控制，實現(xiàn)冷卻系統(tǒng)的冷卻功能，減少晶圓的熱損傷。

 晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F是壓力控制器GR500F系列中的熱門型號，是壓力自動調(diào)節(jié)閥GR-312F的升級產(chǎn)品，穩(wěn)定性更好，滿足晶圓生產(chǎn)中更嚴格的工藝要求。

晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F最小壓力控制器可以到1.3kpa.

特征

• GR-511F是GR-312F的升級產(chǎn)品，Wafer背壓控制；

• 壓力控制更穩(wěn)定、精度0.5%；

• 可選擇流量信號反饋；

• RoHS 認證

技術(shù)參數(shù)

實物圖片

GR-511F、IGS接口14C3

應用案例

熱門型號：GR312F、GR314F、GR317F、GR511F、GR-224FD

UR-Z712M、UR-Z712M-B、UR-Z722M、UR-Z722M-B、UR-Z732M、UR-Z732M-B、UR-Z714M-B、UR-Z724M-B、UR-Z734M-B。

周邊產(chǎn)品

  horiba質(zhì)量流量控制器，熱門型號

SEC-Z717SMGC、SEC-Z727SMGC、SEC-Z717MGC、SEC-Z717MGC、

HORIBA 是氣體和液體質(zhì)量流量控制器制造商之一，擁有一系列模擬、數(shù)字和高溫質(zhì)量流量控制器以及使用點液體源汽化控制和輸送系統(tǒng)。

HORIBA 可以為您的涂層工藝生產(chǎn)線提供穩(wěn)定的控制，如化學氣相沉積 (CVD)，原子層沉積 (ALD)，金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)， PVD (物理氣相沉積)，等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 和金剛石沉積或金剛石涂層 (DLC)。我們的產(chǎn)品提供全面的流體控制和過程監(jiān)控，以提高產(chǎn)量，增加吞吐量，并為您的涂層過程提高效。

本公司同時提供日本HORIBASTEC的質(zhì)量流量計、質(zhì)量流量控制器、數(shù)字式質(zhì)量流量控制器、耐腐蝕質(zhì)量流量控制器、數(shù)字壓力自動調(diào)節(jié)閥、壓力控制器、薄膜硅真空計、汽化器、殘余氣體分析儀。